審決取消請求事件

事件の基本情報

この事件の代理人

• 恩田春香（被告代理人）

争点（判決文より）

争点は，新規性及び進歩性判断の誤りの有無である。
１ 特許庁における手続の経緯
株式会社さいとう技術研究所は，名称を「光学的および電磁気学的効果補助層の
制御手法」とする発明につき，平成２１年８月３１日に特許出願（特願２００９－
１９９３０２。以下「本願」という。優先権主張日：平成２１年３月３０日，日本
国。甲４の１）をし，原告は，株式会社さいとう技術研究所から，平成２４年７月
１２日，本願に係る特許を受ける権利を譲り受けたが（甲６），平成２６年１２月５
日付けで拒絶査定を受けた。
原告は，平成２７年３月２５日，拒絶査定不服審判請求をし（不服２０１５－５
６８８号），同年６月１９日，手続補正（以下「本願補正」という。）をした（甲４
の２）。
特許庁は，平成２８年１０月１７日，「本件審判の請求は，成り立たない。」との
審決をし，その謄本は，同年１１月２３日，原告に送達された。
２ 本願発明の要旨
本願補正後の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，次のとおりで
ある（甲４の２。以下，本願の明細書及び図面を「本願明細書」という。）。
「 半導体又は金属の少なくともどちらか一方よりなる微粒子又は島状構造を平面
内でランダムに配列させた平面構造が，母材中に間隔を保って複数積層された構造
体であって，
該母材が半導体であることを特徴とする構造体。」
３ 審決の理由の要点
本願発明は，特開２００９－１６７１０号公報（甲１。以下「引用例１」という。）
に記載された発明（以下「引用発明１」という。）と同一であり，又は引用発明１に
対して慣用手段及び周知技術を適用して，当業者が容易に発明をすることができた
ものであるから，特許法２９条１項３号又は同条２項により特許を受けることがで
きず，また，特開平８－８４８８号公報（甲２－１。以下「引用例２」という。）に
記載された発明（以下「引用発明２」という。）に基づいて当業者が容易に発明をす
ることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けること
ができない。
(1) 引用発明１について
ア 引用発明１の認定
引用発明１は，次のとおりである。
「 ＧａＡｓ(３１１)Ａ基板上に，ＧａＡｓバッファー層を成長させて表面を平坦
化させたのち，ＡｌＧａＡｓクラッド層（高Ａｌ組成）を成長させた後，活性層と
なる，ＡｌＧａＡｓ層（低Ａｌ組成）を成長させ，その中に液滴エピタキシー法に
より作製したＧａＡｓ量子ドットを２層埋め込み，続いて，上部のＡｌＧａＡｓク
ラッド層（高Ａｌ組成）を成長させて製造されるレーザ素子であって，
上記液滴エピタキシー法は，化合物半導体の量子ドットを作製する手法で，基板
上にガリウムのみを供給してガリウムの液体金属微粒子を作製し，続いて砒素を分
子線照射により供給してその液滴をガリウム砒素に結晶

主文（判決文より）

１ 原告の請求を棄却する。
２ 訴訟費用は原告の負担とする。

出典

本ページは裁判所が公開する判例データに基づいています。