特許権侵害差止等請求事件

事件の基本情報

この事件の代理人

• 古城春実（原告代理人）／第二東京弁護士会
• 蟹田昌之（原告代理人）
• 尾崎英男（被告代理人）／東京弁護士会

争点（判決文より）

本件の争点は，次のように整理することができる。
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(1) 被告製品１の構成要件Ａの充足性
(2) 被告製品中に被告製品１が占める割合
(3) 差止請求等の当否
(4) 損害論
３ 争点に関する当事者の主張
(1) 被告製品１の構成要件Ａの充足性
（原告の主張）
構成要件Ａ及びＤの「下面」は，「下の面」を意味し，構成要件Ｂ～Ｄ
には，「ＧａＮ基板の上に積層された……半導体層と，……ｐ電極と」と
の記載に続いて「下面に形成されたｎ電極」と記載されているのであるか
ら，「下面」は「半導体層を積層する面とは反対のｎ電極を形成する面」
を意味するものと解すべきである。本件発明を結晶欠陥の多い領域に直接
ｎ電極を設ける構成に限定すべきではないことは，①構成要件Ａは，Ｇａ
Ｎ基板の結晶欠陥の数について，「少なくとも下面から厚さ方向に５μｍ
よりも上の領域では」と記載するにとどまり，それより下の領域の結晶欠
陥の数を特定していないこと，②本件明細書の発明の詳細な説明には，
「下地層が除去される場合，結晶欠陥が多い領域の第２の窒化物半導体層
にｎ電極が形成されてなることが望ましい。」と記載されており（段落
【００１４】），結晶欠陥の数の多い高キャリア濃度領域にｎ電極を形成
する形態に発明の範囲を限定していないこと，③本件当初明細書には，ｎ
電極を設ける層として，第２の窒化物半導体層の結晶欠陥の多い領域を使
用すること（段落【００４４】）と，Ｓｉ等のｎ型不純物をドープしてキ
ャリア濃度を高めた層を使用すること（段落【００１５】）が等価の技術
であることが記載されており，結晶欠陥の少ない領域に直接ｎ電極を設け
る構成が開示されているものと理解できることからも明らかである。
（被告の主張）
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主文（判決文より）

原告の請求をいずれも棄却する。
訴訟費用は原告の負担とする。

出典

本ページは裁判所が公開する判例データに基づいています。