事件の基本情報
| 裁判所 | 知的財産高等裁判所 |
|---|---|
| 事件番号 | 平成22(行ケ)10165 |
| 判決日 | 2011-02-15 |
| 分類 | 知的財産 / 特許 |
| 判決種別 | 判決 |
| 当事者 | 原告 富士電機システムズ株式会社 |
この事件の代理人
争点（判決文より）
争点は，補正の適否（補正後の本願発明の進歩性（容易想到性） の有無）である。 - 1 - １ 特許庁における手続の経緯 富士電機株式会社は，平成９年１月１４日，優先日を平成８年１月２２日，優先 権主張国を日本として，名称を「半導体装置及びその製造方法」とする発明の特許 出願をしたが（特願平９−４９１８号），平成１３年４月６日，この特許出願から分 割出願し（特願２００１−１０９０７１号），平成１３年７月１６日，この特許出願 から分割出願し（特願２００１−２１５６７７号），平成１５年４月１７日，さらに これから分割して本件出願とした（特願２００３−１１２９９１号）。 富士電機デバイステクノロジー株式会社は，平成１５年１０月１日，会社分割を 原因として，富士電機株式会社から本件出願に係る特許を受ける権利を承継し，同 年１１月７日，特許庁に対してこの旨の届出をし，平成１８年１１月２８日，特許 請求の範囲及び発明の詳細な説明の記載を改める旨補正し，その結果請求項の数は １となったが，拒絶査定を受けたので，平成１９年１月２５日，特許庁に対して不 服審判請求をするとともに，発明の名称を「横型ＭＯＳ半導体装置」に改め，特許 請求の範囲及び発明の詳細な説明の記載を改める旨の本件補正をした。 原告は，平成２１年１０月１日，会社分割を原因として，富士電機デバイステク ノロジー株式会社から本件出願に係る特許を受ける権利を承継し，同年１１月１２ 日，特許庁に対してこの旨の補正手続をした。 上記不服審判請求は，不服２００７−２９９８号事件として係属したが，特許庁 は，平成２２年４月５日，「本件補正を却下する。」との決定とともに，「本件審判の 請求は，成り立たない。」との審決をし，その謄本は平成２２年４月２０日に原告に 送達された。 ２ 本願発明の要旨 本願発明は，高耐圧かつ大電流容量の半導体装置に関する発明であるが，本件補 正前後の請求項の記載は次のとおりである。 【補正前の請求項１】 「オン状態で半導体基板の平面方向にドリフト電流を流すと共にオフ状態で空乏 - 2 - 化するドリフト領域を半導体基板に有する半導体装置において，前記ドリフト領域 は，並列接続した複数の第１導電型分割ドリフト経路域を持つ並行ドリフト経路群 と，前記第１導電型分割ドリフト経路域の相隣る同士の間に介在する第２導電型仕 切領域とを有する構造であって，前記並行ドリフト経路群は前記ドリフト電流を流 す平面方向とは直交する半導体基板の平面方向に交互に繰り返す構造で，かつそれ ぞれの幅が１μm 以下で半導体基板の厚さ方向の深さが同じであり，半導体基板表 面の第２導電型チャネル領域に形成された第１導電型ソース領域と前記第２導電型 チャネル領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを有し，前記第２ 導電型チャネル領
主文（判決文より）
原告の請求を棄却する。 訴訟費用は原告の負担とする。
出典
本ページは裁判所が公開する判例データに基づいています。