審決取消請求事件

事件の基本情報

この事件の代理人

• 深見久郎（原告代理人）
• 西脇博志（被告代理人）

争点（判決文より）

争点は，手続違背の有無及び容易推考性の
存否である。
１ 特許庁における手続の経緯
原告は，平成１４年９月１３日にされた特許出願（特願２００２−２６８６４３
号，発明の名称「不揮発性メモリ回路および不揮発性半導体記憶装置」）について，
出願人である富士通株式会社から「スパンション インク」へ，同社から原告への
各出願人名義変更届を経て，特許を受ける権利を承継したが，平成１８年１０月２
０日付けで拒絶理由通知（甲１０）を受け，平成１８年１２月１２日付けで手続補
正（甲７）をしたところ，平成１９年３月１５日付けで拒絶査定（甲８）を受けた
ので，平成１９年６月４日，拒絶査定に対する不服審判請求をするとともに，同日
付けの手続補正（甲６）をした。
特許庁は，上記審判請求を不服２００７−１５６１８号事件として審理し，平成
２２年４月２６日，「本件審判の請求は，成り立たない。」との審決をし，その理
由中で上記補正を却下した。そして，審決謄本は平成２２年５月１３日，原告に送
達された。
２ 本願発明の要旨
平成１８年１２月１２日付け補正による請求項の数は１０であるが，そのうち【請
求項１】は，次のとおりである（本願発明。下線部分は上記補正による補正箇所で
ある。）。なお，原告は，本件訴訟において，本件不服審判請求とともにした補正
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の却下の適否については争っていない。
【請求項１】
第１の端子，第２の端子および制御端子を有し，メモリセルアレイとは別に設け
られた複数の不揮発性メモリセルと，
該複数の不揮発性メモリセルの第１の端子に対して所定レベルの電圧を印加する
レベルシフト回路と，
前記複数の不揮発性メモリセルの第２の端子にそれぞれ設けられた複数のスイッ
チ用トランジスタとを備えることを特徴とする不揮発性メモリ回路。
３ 審決の理由の要点
審決の理由の要点は，本件不服審判請求とともにした補正は新規事項の追加に当
たるものとして却下すべきであり，そうすると，本願発明の要旨については，上記
２のとおり認められるが，本願発明は，周知技術を勘案することにより，特開平３
−１５５６６７号公報（引用例１，甲１）に記載された引用発明に基づいて，当業
者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定によ
り特許を受けることができないというものである。
本願発明と引用発明との一致点，相違点１及び２は次のとおりである。
【一致点】
第１の端子，第２の端子及び制御端子を有し，複数の不揮発性メモリセルと，
該複数の不揮発性メモリセルの第１の端子に対して所定レベルの電圧を印加する
レベルシフト回路と，
前記複数の不揮発性メモリセルの第２の端子に設けられた複数のスイッチ用トラ
ンジスタとを備えることを特徴とする不揮発性メモリ回路。
【相違点１】
本願発明では，「メモ

主文（判決文より）

原告の請求を棄却する。
訴訟費用は原告の負担とする。
この判決に対する上告及び上告受理の申立てのための付加期間を３０日
と定める。
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出典

本ページは裁判所が公開する判例データに基づいています。