審決取消請求事件

事件の基本情報

この事件の代理人

• 松本直樹（原告代理人）／第二東京弁護士会
• 後藤亮治（被告代理人）

争点（判決文より）

争点は，本願発明の進歩性の有無である。
１ 特許庁における手続の経緯
原告は，２００２年（平成１４年）１０月７日及び２００３年（平成１５年）４
月１７日の優先権（大韓民国）を主張して，平成１５年１０月７日，名称を「フラ
ットパネルディスプレイ」とする発明について本件特許出願（特願２００３－３４
７８８６号，公開公報は特開２００４-１３３４５５号〔甲１３〕）をし，平成１９
年１１月１５日付けで特許請求の範囲の変更等を内容とする補正（甲１５）をした
が，拒絶査定を受けたので，これに対する不服の審判請求をした。
特許庁は，上記請求を不服２００８－６０５９号事件として審理し，その中で原
告は平成２０年３月１０日付け及び平成２２年３月２日付けで特許請求の範囲の変
更等を内容とする補正（甲１０，１６）をしたが，特許庁は，平成２２年５月１２
日，「本件審判の請求は，成り立たない。」との審決をし，その謄本は平成２２年５
月２５日原告に送達された。
２ 本願発明の要旨(請求項１の記載)
「発光素子と，
前記発光素子を駆動するためのソース／ドレイン領域を具備する第１及び第２の
トランジスタと，
を含み，
前記第１及び第２のトランジスタは導通したときのそれぞれのソース領域からド
レイン領域にかけての抵抗値が互いに相違し，
前記第１のトランジスタは，前記発光素子を駆動するための駆動トランジスタで
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あり，前記第２のトランジスタは，前記駆動トランジスタのオン／オフをスイッチ
するためのスイッチングトランジスタであり，前記駆動トランジスタは，ソース領
域からドレイン領域にかけての半導体層が，前記スイッチングトランジスタのソー
ス領域からドレイン領域にかけての半導体層よりも大きい抵抗値を有し，
前記駆動トランジスタは，前記半導体層に対するゲート電極と，前記半導体層に
おける前記ゲート電極の両側に形成された高濃度ソース／ドレイン領域と，前記ゲ
ート電極と前記ドレイン領域との間に設けられるオフセット領域とを具備し，
前記オフセット領域が，前記高濃度ソース／ドレイン領域と同一の導電形を有す
る低濃度不純物が全体としてまたは部分的にドープされた低濃度不純物領域または
不純物がドープされていない真性領域からなる高抵抗領域である，
ことを特徴とするフラットパネルディスプレイ。」
３ 審決の理由の要点
(1) 刊行物１（特開２００１－３４５１７９号，甲１）には，実質的に次の発
明(引用発明)が記載されていることが認められる。
「ＥＬ素子６０３と，
前記ＥＬ素子を駆動するためのソース領域１３，ドレイン領域１４を具備するス
イッチング用ＴＦＴ６０１，および，ソース領域３１，ドレイン領域３２を具備す
る電流制御用ＴＦＴ６０２と，
を含み，
前記電流制御用ＴＦＴ６０２は前記ＥＬ素子６０３を駆動するた

主文（判決文より）

原告の請求を棄却する。
訴訟費用は原告の負担とする。
この判決に対する上告及び上告受理申立てのための付加期間を３０日と定める。

出典

本ページは裁判所が公開する判例データに基づいています。