事件の基本情報
| 裁判所 | 知的財産高等裁判所 |
|---|---|
| 事件番号 | 平成22(行ケ)10317 |
| 判決日 | 2011-09-28 |
| 分類 | 知的財産 / 特許 |
| 判決種別 | 判決 |
| 判決文が挙げた条文 | 特許法29条2項、特許法159条2項 |
| 当事者 | 原告 モーセッド・テクノロジーズ・インコーポレイテッド |
この事件の代理人
争点（判決文より）
争点は，上記平成２１年５月１３日付け補正後の請求項１に係る発明が下記 引用例との間で進歩性を有するか（特許法２９条２項）である。 記 ・引用例１：１９８９ IEEE ISSCC Digest of Technical Papers P.２４８－ ２４９（１９８９－２） FAM １６．６：”A ４５ns １６Mb DRAM with Triple-Well Structure ”（頒布日 １９８９年（平成元年）２ 月１７日，発表者 Syuso Fujii 外［Toshiba Corporation 等］甲 １。以下，これに記載された発明を「引用発明１」という。） ・引用例２：特開昭６３－２３９６７３号公報（発明の名称「半導体集積回路 装置」，公開日 昭和６３年（１９８８年）１０月５日，甲２。以 下，これに記載された発明を「引用発明２」という。）
主文（判決文より）
１ 原告の請求を棄却する。 ２ 訴訟費用は原告の負担とする。 ３ この判決に対する上告及び上告受理申立てのための 付加期間を３０日と定める。
出典
本ページは裁判所が公開する判例データに基づいています。