審決取消請求事件

事件の基本情報

この事件の代理人

• 上谷清（原告代理人）
• 田中永一（被告代理人）

争点（判決文より）

争点は，進歩性の有無である。
１ 特許庁における手続の経緯
原告は，平成１５年１０月８日，名称を「プラズマ処理装置，プラズマ処理方法
及びプラズマ生成方法」とする発明につき特許出願したが（特願２００３－３４９
７９０号），平成２１年５月２７日，拒絶査定を受けたので，同年８月２６日，不服
審判請求をするとともに（不服２００９－１５６５２号），特許請求の範囲の記載及
び明細書の発明の詳細な説明の記載の各一部を改める旨の手続補正（本件補正）を
した。
特許庁は，平成２３年５月９日，上記手続補正を却下する決定とともに上記請求
につき「本件審判の請求は，成り立たない。」との審決をし，この審決の謄本は同月
２４日に原告に送達された。
原告は，本件訴訟において，本件補正前の請求項１の発明の進歩性に係る判断に
ついては，これを争っていない。
２ 補正発明の要旨
本願発明は，半導体基板に対してプラズマ処理を行う装置やその処理方法等に関
する発明で，請求項の数は１８であるが，本件補正後の請求項１の特許請求の範囲
は以下のとおりである。
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【請求項１（補正発明）】
「プラズマエッチング処理される部材が載置される載置台と，
プラズマ生成用のガスを導入するガス導入部と，
プラズマ生成用の高周波電力を前記ガスに供給する高周波電力供給部とを備え，
前記高周波電力供給部は，最初に，壁面からのパーティクルの剥離を抑制し，か
つプラズマ生成に必要な最小限の高周波電力を前記ガスに供給し最小限プラズマを
生成し，その後前記高周波電力を増加し前記部材のプラズマエッチング処理に必要
なプラズマを生成し，壁面から剥離したパーティクルがバルクプラズマ中に侵入す
るのを抑制する一定以上の電位差を有するイオンシースが発生するような高い高周
波電力を印加するように，制御されるプラズマエッチング処理装置。」
３ 審決の理由の要点
補正発明は下記刊行物１に記載された発明に周知技術を適用して，本件出願当時
当業者において容易に発明することができたものであるから，進歩性を欠く。
【刊行物１】特開平６－３１８５５２号公報（甲８）
【刊行物１に記載された発明（刊行物１発明）】
「プラズマエッチング処理される部材が載置されるサセプタ２２と，
プラズマ生成用のガスを導入するガス供給部４と，
プラズマ生成用の高周波電力を前記ガスに供給する高周波電力印加手段とを備え，
前記高周波電力印加手段は，最初に，プラズマ生成に必要最低限の放電開始電力
を前記ガスに供給し最小限プラズマを生成し，その後前記放電電力を増加し前記部
材のプラズマエッチング処理に必要なプラズマを生成する高い高周波電力を印加す
るように，制御されるプラズマエッチング装置。」
【一致点】
「プラズマエッチング処理される部材が載置される載置台と，
プラズマ生成用

主文（判決文より）

原告の請求を棄却する。
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訴訟費用は原告の負担とする。

出典

本ページは裁判所が公開する判例データに基づいています。