審決取消請求事件

事件の基本情報

この事件の代理人

• 手塚史展（原告代理人）
• 松川直樹（被告代理人）／第二東京弁護士会

争点（判決文より）

争点は，補正後の発明の進歩性の有無及び
補正前の発明の新規性の有無等である。
１ 特許庁における手続の経緯
原告は，平成２２年６月１日，平成１７年８月２９日にした特許出願（特願２０
０５－２４７８３８号）の一部を分割して，名称を「半導体装置」とする発明につ
き特許出願をしたところ（特願２０１０－１２６１１２号），平成２３年４月１４日
に拒絶査定を受けたので，同年７月１５日，不服審判請求をするとともに，特許請
求の範囲の記載及び明細書の発明の詳細な説明の記載の各一部を改める手続補正を
した（本件補正）。特許庁は，平成２４年６月１２日，上記補正を却下する決定とと
もに，「本件審判の請求は，成り立たない。」との審決をし，その謄本は同月２２日
に原告に送達された。
２ 本願発明の要旨
本願発明は，発光ダイオード等の窒化ガリウムを含有する半導体装置に関する発
明で，うち本件補正後の請求項１の特許請求の範囲は以下のとおりである（下線を
付した部分が補正した部分である）。
【請求項１（補正発明）】
「活性層と，
ｐ型のＧａＮ系化合物半導体からなる第１半導体層と，
前記活性層と前記第１半導体層との間に配置されるＩｎを含有するｐ型のＩｎ
Ｇａ Ａｌ Ｎ（０≦ｘ＜１，０＜ｙ１＜１）層と，
－ｘ－ｙ１ ｘ ｙ１
前記活性層と前記Ｉｎ Ｇａ Ａｌ Ｎ（０≦ｘ＜１，０＜ｙ１＜１）層と
１－ｘ－ｙ１ ｘ ｙ１
の間，および前記Ｉｎ Ｇａ Ａｌ Ｎ（０≦ｘ＜１，０＜ｙ１＜１）層と前
１－ｘ－ｙ１ ｘ ｙ１
記第１半導体層との間のいずれか一方に配置されるｐ型のＧａＮ系化合物半導体か
らなる第２半導体層と，
前記第１半導体層と前記活性層との間に配置され，前記Ｉｎ Ｇａ Ａｌ
１－ｘ－ｙ１ ｘ ｙ１
- 2 -
Ｎ（０≦ｘ＜１，０＜ｙ１＜１）層，前記第１半導体層，および第２半導体層より
も小さいバンドギャップを有し，かつ前記Ｉｎ Ｇａ Ａｌ Ｎ（０≦ｘ＜１，
１－ｘ－ｙ１ ｘ ｙ１
０＜ｙ１≦１）層，前記第１半導体層，および第２半導体層よりも格子定数が大き
い，１～１５nm の膜厚で，かつ１×１０１７cm－３～１×１０１９cm－３のＭｇを含有す
るＩｎ Ｇａ Ｎ（０＜ｙ２≦１）層と，を備え，
ｙ２ １－ｙ２
前記Ｉｎ Ｇａ Ｎ（０＜ｙ２≦１）層におけるＩｎの組成比は，前記Ｉｎ
ｙ２ １－ｙ２ １
Ｇａ Ａｌ Ｎ（０≦ｘ＜１，０＜ｙ１＜１）層，第１半導体層，および第
－ｘ－ｙ１ ｘ ｙ１
２半導体層，におけるＩｎの組成比よりも高いことを特徴とする半導体装置。」
また，本件補正前の請求項１の特許請求の範囲は以下のとおりである。
【請求項１（補正前発明）】
「活性層と，
ｐ型のＧａＮ系化合物半導体からなる第１半導体層と，
前記活性層と前記第１半導体層との間に配置されるｐ型のＩｎ Ｇａ Ａ
１－ｘ－ｙ

主文（判決文より）

原告の請求を棄却する。
訴訟費用は原告の負担とする。

出典

本ページは裁判所が公開する判例データに基づいています。