審決取消請求事件

事件の基本情報

この事件の代理人

• 尾崎英男（原告代理人）／東京弁護士会
• 古城春実（被告代理人）／第二東京弁護士会

争点（判決文より）

争点は，容易
想到性の有無である。
１ 特許庁における手続の経緯
被告は，平成１０年５月１５日，名称を「窒化物半導体の成長方法及び窒化物半
導体素子」とする発明につき，特許出願をし（特願平１０－１３２８３１号。国内
優先権主張日：平成９年１１月２６日・甲２７），平成１５年５月２６日，この出
願の一部を分割して，発明の名称を「窒化物半導体素子」とする分割出願をし，平
成２１年５月２９日，特許登録を受けた（特許第４３１４８８７号・甲２５）。
そこで，原告が，平成２４年３月２３日，請求項１ないし３につき特許無効審判
請求をした（無効２０１２－８０００３３号）ところ，被告は，特許請求の範囲の
記載の一部及び明細書の発明の詳細な説明の記載の一部をそれぞれ改める同年１１
月１９日付け訂正請求書の訂正請求をした（本件訂正・甲２６）。特許庁は，平成
２５年２月５日，「訂正を認める。本件審判の請求は，成り立たない。」との審決
をし，この謄本は同月１５日に原告に送達された（なお，本件訴訟において，審決
が訂正を認めた部分については争いがない。）。
２ 本件発明の要旨
本件特許公報（甲２５）及び本件訂正明細書（甲２６・以下，甲２５の特許公報
と併せて「本件明細書」ともいう。）によれば，訂正後の本件特許の請求項１ないし
３に係る発明は，以下のとおりである。
【請求項１】（本件発明１）
厚みが５０μｍ以上であり，少なくとも下面から厚さ方向に５μｍよりも上の領
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域では結晶欠陥の数が１×１０７個／ｃｍ２以下である，ハライド気相成長法（ＨＶ
ＰＥ）を用いて形成されたｎ型不純物を含有するＧａＮ基板と，
前記ＧａＮ基板の上に積層された，活性層を含む窒化物半導体層と，
前記窒化物半導体層に形成されたリッジストライプと，該リッジストライプ上に
形成されたｐ電極と，
前記ＧａＮ基板の下面に形成されたｎ電極と，
を備えたことを特徴とする窒化物半導体素子。
【請求項２】（本件発明２）
前記ＧａＮ基板は，結晶欠陥が１×１０６個／ｃｍ２以下の領域を有する請求項１
に記載の窒化物半導体素子。
【請求項３】（本件発明３）
前記窒化物半導体層にはｎ側クラッド層，活性層，ｐ側クラッド層が順に積層さ
れており，該ｐ側クラッド層には前記リッジストライプが形成されている請求項１
に記載の窒化物半導体素子。
３ 原告が主張する無効理由
本件発明１ないし３は，刊行物１（国際公開第９７／１１５１８号，甲１）に記
載された引用発明及び以下の文献（甲２ないし８）に記載された周知技術に基づい
て当業者が容易に発明をすることができたものである。
甲２：Akira Usui 他，"Thick GaNEpitaxial Growth with Low Dislocation Density by
Hydride Vapor P

主文（判決文より）

原告の請求を棄却する。
訴訟費用は原告の負担とする。

出典

本ページは裁判所が公開する判例データに基づいています。