事件の基本情報
| 裁判所 | 知的財産高等裁判所 |
|---|---|
| 事件番号 | 平成25(行ケ)10071 |
| 判決日 | 2014-03-26 |
| 分類 | 知的財産 / 特許 |
| 判決種別 | 判決 |
| 当事者 | 原告 エヴァーライトエレクトロニクスカンパニーリミテッド/被告 日亜化学工業株式会社 |
この事件の代理人
争点(判決文より)
争点は,①引用発明認 定の誤りの有無,②相違点認定の誤りの有無,及び③相違点判断の誤りの有無である。 1 特許庁における手続の経緯 (1) 本件特許 被告は,名称を「半導体発光素子」とする発明についての本件特許(特許第40 55503号)の特許権者である。 本件特許は,平成13年7月24日に出願した特願2001-223114号(第 1優先権基礎出願)及び平成14年2月19日に出願した特願2002-4173 7号(第2優先権基礎出願)を基礎とする優先権を主張して,平成14年7月23 日に出願した特願2002-213490号に係るものであり,平成19年12月 21日に設定登録(登録時の請求項の数7,平成24年5月11日付け手続補正書 により補正された平成24年1月4日付け訂正請求書による訂正後は4。)された。 (甲21,22) (2) 無効審判請求 原告は,平成23年10月12日付けで本件特許の無効審判請求をしたが(無効 2011-800206号),被告は,平成24年1月4日付けで訂正請求をし(平 成24年5月11日付け手続補正書で補正),特許庁は,平成24年11月6日,「訂 - 2 - 正を認める。本件審判の請求は,成り立たない。」との審決をし,その謄本は,同月 15日,原告に送達された。 2 本件発明の要旨 上記平成24年1月4日付け訂正請求書(同年5月11日付け手続補正書で補正) による訂正後(この訂正後の明細書及び図面を「本件訂正明細書等」という。)の本 件特許の請求項1~4の発明(以下,番号順に「本件発明1」などのようにいう。) に係る特許請求の範囲の記載(本件発明1については分説後のものであり,それぞ れ「構成要件A」などのようにいう。)は,次のとおりである。(甲21) 「【請求項1】 【A】基板上に,基板とは材質の異なる複数のGaN系半導体層と,前記GaN 系半導体層の最上層に形成されたオーミック電極とを積層し,前記GaN系半導体 層で発生した光を前記オーミック電極側又は基板側から取り出すようにした半導体 発光ダイオードにおいて, 【B】上記基板はC面(0001)サファイア基板であり, 上記基板の表面部分には上記GaN系半導体層で発生した光を散乱又は回折させ る凸部が,λ/4(λは上記半導体発光ダイオードの発光波長)以上の間隔,10 μm以下のピッチで繰り返しパターンに形成されており, 【C】その凸部の平面形状が大略三角形又は六角形であり,上記GaN系半導体 層のA軸を構成辺とする正六角形を想定したときに上記凸部平面形状の構成辺が上 記A軸を構成辺とする正六角形の中心と頂点を結ぶ線分に直交するように形成され, 【D】上記凸部の側面が傾斜しており,その側面のテーパ角が120°より大き く,140°以下であり, 【E】前記基板表面の凸部は,凸部上面,凸
主文(判決文より)
原告の請求を棄却する。 訴訟費用は原告の負担とする。 この判決に対する上告及び上告受理申立てのための付加期間を30日 - 1 - と定める。
出典
本ページは裁判所が公開する判例データに基づいています。