審決取消請求事件

事件の基本情報

この事件の代理人

• 黒田健二（原告代理人）
• 宮原正志（被告代理人）／大阪弁護士会
• 松本優子（被告代理人）／第二東京弁護士会
• 鮫島睦（被告代理人）

争点（判決文より）

争点は，①引用発明認
定の誤りの有無，②相違点認定の誤りの有無,及び③相違点判断の誤りの有無である。
１ 特許庁における手続の経緯
(1) 本件特許
被告は，名称を「窒化物半導体発光ダイオードの製造方法」(平成２４年１月４日
付け訂正請求による訂正前の名称は「窒化物半導体発光素子の製造方法」）とする発
明についての本件特許（特許第４３５６７２３号）の特許権者である。
本件特許は，平成１３年７月２４日に出願した特願２００１－２２３１１４号（第
１優先権基礎出願）及び平成１４年２月１９日に出願した特願２００２－４１７３
７号（第２優先権基礎出願）を基礎とする優先権を主張して平成１４年７月２３日
に出願した特願２００２－２１３４９０号（原出願）の分割出願として，平成１８
年９月１９日に出願され，平成２１年８月１４日に設定登録（請求項の数４）され
た。
（甲１６，１７）
(2) 無効審判請求
原告は，平成２３年１０月１２日付けで本件特許の無効審判請求をしたが（無効
２０１１－８００２０７号），被告は，平成２４年１月４日付けで訂正請求をし（平
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成２４年１月１１日付け手続補正書で補正），特許庁は，平成２４年１１月１２日，
「訂正を認める。本件審判の請求は，成り立たない。」との審決をし，その謄本は，
同月２２日，原告に送達された。
２ 本件発明の要旨
上記平成２４年１月４日付け訂正請求書（同月１１日付け手続補正書で補正）に
よる訂正後（この訂正後の明細書及び図面を「本件明細書等」という。）の本件特許
の請求項１～４の発明（以下，番号順に「本件発明１」などのようにいう。）に係る
特許請求の範囲の記載（本件発明１については分説後のものであり，それぞれを「構
成要件Ａ－１」などのようにいう。）は，次のとおりである。（甲１６）
「【請求項１】
【Ａ－１】Ｃ面を主面とするサファイア基板上に凸部を繰り返しパターンに形成
する工程と，
【Ａ－２】前記基板上に前記凸部の上面と前記凸部の形成されていない平坦面と
からＧａＮ系半導体を成長させて前記凸部を埋める工程と，
【Ａ－３】前記ＧａＮ系半導体上にオーミック電極を形成する工程と，を有し，
【Ａ－４】上方の前記ＧａＮ系半導体又は下方の前記サファイア基板から光を取
り出す窒化物半導体ダイオードの製造方法であって，
【Ｂ】前記凸部が，基板上面から見て多角形又は角が丸みを帯びた多角形であり，
かつ，前記ＧａＮ系半導体層の積層方向に対して傾斜することで１２０°より大き
く，１４０°以下のテーパ角を持つ側面を有し，
【Ｃ】前記多角形が大略正三角形又は正六角形であり，
【Ｄ－１】前記ＧａＮ系半導体層のＡ軸を構成辺とする正六角形を想定したとき
に前記多角形の構成辺が上記Ａ軸を構成辺とする正六角形の中心と頂点を結ぶ線分
に直交する形状であること

主文（判決文より）

原告の請求を棄却する。
訴訟費用は原告の負担とする。
この判決に対する上告及び上告受理申立てのための付加期間を３０日
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と定める。

出典

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