事件の基本情報
| 裁判所 | 知的財産高等裁判所 |
|---|---|
| 事件番号 | 令和3(ネ)10031 |
| 判決日 | 2022-01-13 |
| 分類 | 知的財産 / 特許 |
| 判決種別 | 判決 |
| 判決文が挙げた条文 | 民法703条、民法709条、特許法100条1項 |
| 当事者 | 控訴人 合同会社ＩＰＢｒｉｄｇｅ１号／被控訴人 マイクロンジャパン株式会社 |
この事件の代理人
争点（判決文より）
争点及び争点に関する当事者の主張 本件における争点及び争点に関する当事者の主張は，次のとおり補正ないし 付加し，後記４のとおり当審における補充主張（当審における新たな主張を含 む。）を付加するほかは，原判決「事実及び理由」第２，３（争点）及び４（争 点に関する当事者の主張）（原判決９頁１行目から１５頁２０行目まで）に記載 のとおりであるから，これを引用する。 ⑴ 原判決９頁９行目の後に改行の上，次のとおり付加する。 「⑵ 本件特許が特許無効審判により無効にされるべきものか否か（争点２ 〔当審における新たな主張〕） ア 記載要件違反（争点２－１） イ 補正要件違反（争点２－２） ウ 新規性又は進歩性の欠如（争点２－３）」 ⑵ 原判決９頁１０行目の「⑵ 原告の損害・利得額（争点２）」を「⑶ 控訴 人の損害・利得額（争点３）」に改める。 ⑶ 原判決１０頁２１行目の「原告」を「出願人」と改める。 ⑷ 原判決１５頁１行目の「原告の損害・利得額（争点２）」を「控訴人の損害・ 利得額（争点３）」に改める。 ４ 当審における補充主張 ⑴ 争点１－１（被控訴人製品が，本件発明における「半導体集積回路装置」 （構成要件１Ａ，１Ｅ，５Ｂ，５Ｅ等），「メモリ回路」（構成要件１Ｂ，１Ｄ）・ 「素子群」（構成要件５Ａ）を充足するか否か）について （控訴人の主張） ア 「半導体集積回路装置」（構成要件１Ａ，１Ｅ，５Ｂ，５Ｅ）について (ア) 本件明細書の記載に基づく検討について ａ 本件発明の請求項には「半導体集積回路装置」という文言が用いら れている。「半導体集積回路装置」という用語は，トランジスタやダイ オード，抵抗，キャパシタ等の回路素子とそれらを結ぶ配線を一体の ものとして一つの半導体基板の表面に作製するモノリシック集積回路 を意味する（甲１１～１３）。汎用ＤＲＡＭもシステムＬＳＩも，半導 体集積回路装置である。 ＤＲＡＭ内のメモリセルアレイは，より大きな物（ＤＲＡＭ）の機 能の一部を担う部分としてＤＲＡＭに「搭載」されているといえる。 ｂ また，次のとおり，本件明細書において，「システムＬＳＩ」は，本 件発明の課題を認識する過程や解決原理を説明するため，「半導体集積 回路装置」の具体例として記載されており，かつ，節々に「システム ＬＳＩ」に限定するものではない概括的な記載がされている。 (a) 【発明の属する技術分野】の記載 本件明細書の段落【０００１】には，「システムＬＳＩ」は，「特 に」という文言に続いて，主たる例として記載されており，段落【０ ００１】の記載により，本件発明の技術的範囲がシステムＬＳＩに 限定されると理解されるものではない。 ⒝ 【従来の技術】の記載 本件明細書の段落【０００３】には，「システムＬＳＩ」は，「シ ステムＬＳＩをはじめとする」として，主たる例
主文（判決文より）
１ 本件控訴を棄却する。 ２ 控訴費用は控訴人の負担とする。
出典
本ページは裁判所が公開する判例データに基づいています。