特許権侵害差止等請求控訴事件

事件の基本情報

この事件の代理人

• 古城春実（原告代理人）／第二東京弁護士会
• 蟹田昌之（原告代理人）
• 尾崎英男（被告代理人）／東京弁護士会

争点（判決文より）

争点(1)（被告製品１の構成要件Ａの充足性）
に関し）
（原告の主張）
本件発明の構成要件Ａにいう「ＧａＮ基板」の意義は，少なくとも「下面」，つま
り，「ｎ電極を形成する面」から厚さ方向に５μｍよりも上の領域では結晶欠陥の数
が１×１０７個／ｃｍ２以下であるＧａＮ基板をいうものであり，ＧａＮ基板それ自
体に上下方向を特徴付ける属性を備えるものではなく，原判決の限定解釈は誤りで
ある。
ア 特許請求の範囲に基づく解釈について
(ｱ) 原判決は，特許請求の範囲の記載に基づき，構成要件Ａの「ＧａＮ基
板」の意味を，「本件発明に係るＧａＮ基板は，それ自体に上下方向を特定すること
ができる属性を備えたものであることを要する」とした上で，本件明細書等をも検
討し，結論としては，「構成要件Ａの『ＧａＮ基板』は，単に，基準面より上の領域
の結晶欠陥の数が所定の数（１×１０７個／ｃｍ２）以下であり，基準面より下の領
域との間で結晶欠陥の数の偏在があるというだけでは足りず，後者の数が前者の数
- 3 -
よりも相対的に多いものとして特定されるＧａＮ基板を意味するものと解するのが
相当である。」とした。
しかし，特許請求の範囲（構成要件Ａ）には，ＧａＮ基板について「少なくとも
下面から厚さ方向に５μｍよりも上の領域では・・・」と記載されているのみで，
下面から５μｍまでの領域については何も規定されていない。それにもかかわらず，
下面から５μｍまでの当該領域の結晶欠陥の数が５μｍよりも上の領域よりも相対
的に多いとする原判決の上記認定は，当該特許請求の範囲の記載から離れ，そこに
は記載されていない構成要件を付加する不合理な認定であるといわざるを得ない。
(ｲ)ａ 本件発明は「窒化物半導体素子」に関する「物の発明」であり，特
許請求の範囲が規定しているのは当該「窒化物半導体素子」の構造である。このよ
うな窒化物半導体素子を対象とする発明において，その一部の構成要素にすぎない
ＧａＮ基板のみを取り出して，ＧａＮ基板自体に「上下方向を特徴付ける属性」な
るものがなければならないなどとの認定は失当である。本件のクレームを見れば，
「窒化物半導体素子」において，構成要件Ｄには「前記ＧａＮ基板の下面に形成さ
れたｎ電極」と記載され，構成要件Ｂには「前記ＧａＮ基板の上に積層された，活
性層を含む窒化物半導体層と」と規定されているから，「下面」や「下」（構成要件
Ａ，Ｄ）とは，「窒化物半導体素子」における「ｎ電極が形成された面」を指し，「上」
（構成要件Ｂ）とは，「窒化物半導体素子」における「活性層を含む窒化物半導体層
が積層された側」を指すことは一義的に明らかである。
原判決は，本件発明においては，ＧａＮ基板自体に最初から「下面」又は「ｎ電
極が形成されるべき面」なるものがあり，そこにｎ電極が形

主文（判決文より）

１ 本件控訴を棄却する。
２ 控訴費用は控訴人の負担とする。

出典

本ページは裁判所が公開する判例データに基づいています。