審決取消請求事件

事件の基本情報

この事件の代理人

• 古城春実（原告代理人）／第二東京弁護士会
• 尾崎英男（被告代理人）／東京弁護士会
• 上野 潤一（被告代理人）／第一東京弁護士会

争点（判決文より）

争点は，
①新規性判断の是非及び②進歩性判断の是非である。
１ 特許庁における手続の経緯
(1) 本件特許
被告は，名称を「窒化物系半導体素子の製造方法」とする発明についての本件特
許（特許第４１８０１０７号）の特許権者である。（甲１）
本件特許は，平成１４年３月２６日（以下「本件優先日」という。）に出願した特
願２００２－８５０８５号を基礎とする優先権を主張して，平成１５年３月１９日
に出願した特願２００３－７４９６６号（優先権主張国・日本）を，平成１８年１
２月２５日に分割出願した特願２００６－３４８１６１号を，更に平成２０年３月
２４日に分割出願した特願２００８－７６８４４号に係るものであり，平成２０年
９月５日に設定登録（請求項の数１０）がされた。（甲１）
(2) 無効審判請求
原告は，平成２６年４月２２日付けで本件特許の請求項１～１０に係る発明につ
いて無効審判請求をし（無効２０１４－８０００６１号），特許庁は，平成２７年５
月２６日，「本件審判の請求は，成り立たない。」との審決をし，その謄本は，同年
６月４日，原告に送達された。
（甲６３）
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２ 本件発明の要旨
本件特許の請求項１～１０の発明（以下，請求項の番号に従って「本件発明１」
のようにいい，すべてを併せて「本件発明」という。また，本件特許に係る明細書
及び図面を合わせて「本件明細書」という。）に係る特許請求の範囲の記載は，次の
とおりである。（甲１）
(1) 本件発明１
「 ｎ型の窒化物系半導体層および窒化物系半導体基板のいずれかからなる第１半導
体層の上面上に，活性層を含む窒化物半導体層からなる第２半導体層を形成する第１
工程と，
前記第１半導体層の裏面を研磨することにより厚み加工する第２工程と，
前記第１工程及び前記第２工程の後，前記研磨により発生した転位を含む前記第１半
導体層の裏面近傍の領域を除去して前記第１半導体層の裏面の転位密度を１×１０ ｃ
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ｍ 以下とする第３工程と，
その後，前記転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が除去された第１半導
体層の裏面上に，ｎ側電極を形成する第４工程とを備え，
前記第１半導体層と前記ｎ側電極とのコンタクト抵抗を０.０５Ωｃｍ 以下とする，
窒化物系半導体素子の製造方法。」
(2) 本件発明２
「 前記第１半導体層の裏面は，前記第１半導体層の窒素面である，請求項１に記載の
窒化物系半導体素子の製造方法。」
(3) 本件発明３
6 -2
「 前記第３工程により，前記転位密度は，１×１０ ｃｍ 以下に低減される，請求項１又
は２に記載の窒化物系半導体素子の製造方法。」
(4) 本件発明４
「 前記第３工程により，前記転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が０.５μ
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ｍ以上除去される，請求項１～３のいずれかに記載の

主文（判決文より）

１ 特許庁が無効２０１４－８０００６１号事件について平成２７年５月
２６日にした審決を取り消す。
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２ 訴訟費用は被告の負担とする。

出典

本ページは裁判所が公開する判例データに基づいています。