事件の基本情報
| 裁判所 | 知的財産高等裁判所 |
|---|---|
| 事件番号 | 平成27(行ケ)10176 |
| 判決日 | 2016-10-12 |
| 分類 | 知的財産 / 特許 |
| 判決種別 | 判決 |
| 判決文が挙げた条文 | 特許法29条、特許法29条2項、特許法36条4項1号、特許法36条6項1号、特許法123条1項2号、特許法123条1項4号 |
| 当事者 | 原告 株式会社半導体エネルギー研究所／被告 ＨＯＹＡ株式会社 |
この事件の代理人
争点（判決文より）
争 点は，①サポート要件（特許法３６条６項１号）違反の有無，②実施可能要件（特 許法３６条４項１号）違反の有無及び③進歩性の有無についての判断の当否である。 １ 特許庁における手続の経緯 被告らは，平成１４年９月１１日（本件出願日）に出願され（特願２００２－２ ６６０１２号），平成２０年８月８日に設定登録がなされた特許（本件特許。特許第 ４１６４５６２号。発明の名称「ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電 界効果型トランジスタ」）の特許権者である（甲３５）。 原告は，平成２６年７月１４日，本件特許の無効審判請求をしたところ（無効２ ０１４－８００１２０号。甲４０），特許庁は，平成２７年７月２８日，「本件審判 の請求は，成り立たない。」との審決をし，同審決謄本は，同年８月６日に原告に送 達された。 ２ 本件発明の要旨 本件特許に係る発明（本件発明）は，次のとおりである（以下，本件特許の明細 書及び図面を「本件明細書」という。） 【請求項１】 ホモロガス化合物ＩｎＭＯ （ＺｎＯ） （Ｍ＝Ｉｎ，Ｆｅ，Ｇａ，又はＡｌ，ｍ ３ ｍ - 2 - ＝１以上５０未満の整数）（以下「本件化合物」という。）薄膜を活性層として用 いることを特徴とする透明薄膜電界効果型トランジスタ。（本件発明１） 【請求項２】 表面が原子レベルで平坦である単結晶又はアモルファスホモロガス化合物薄膜を 用いることを特徴とする請求項１記載の透明薄膜電界効果型トランジスタ。（本件 発明２） 【請求項３】 ホモロガス化合物が耐熱性，透明酸化物単結晶基板上に形成された単結晶薄膜で あることを特徴とする請求項１記載の透明薄膜電界効果型トランジスタ。（本件発 明３） 【請求項４】 ホモロガス化合物がガラス基板上に形成されたアモルファス薄膜であることを特 徴とする請求項１記載の透明薄膜電界効果型トランジスタ。（本件発明４） ３ 審決の理由の要旨（争点と関係の薄い部分はフォントを小さく表記する。） (1) 請求人（原告）が主張した無効理由 ア 無効理由１ 下記(ｱ)～(ｴ)のとおり，本件発明１～４は，本件出願日前に日本国内又は外国に おいて頒布された甲１，３～１４，及び２４～２８に記載された発明に基づいて当 業者が容易に発明することができたものであるから，特許法２９条２項の規定によ り特許を受けることができない。よって，本件発明１～４に係る特許は，特許法１ ２３条１項２号に該当し，無効とすべきものである。 (ｱ) 本件発明１は，甲１，３～１４，２４及び２８に記載された発明に基 づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 (ｲ) 本件発明２は，甲１，３～１４，２４～２６及び２８に記載された発 明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 (ｳ) 本件発明３は，甲１，３～１４，２４，２
主文（判決文より）
１ 特許庁が無効２０１４－８００１２０号事件について平成２７年７月２８日 にした審決のうち，請求項１，２及び４に係る部分を取り消す。 ２ 原告のその余の請求を棄却する。 - 1 - ３ 訴訟費用はこれを４分し，その１を原告の負担とし，その余を被告らの負担 とする。
出典
本ページは裁判所が公開する判例データに基づいています。